一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価

資料種別: 文書・図像類

著者: 池田, 幸治ほか

出版者: 愛知工業大学

出版年: 1998-03-31

資料形態: デジタル

ページ数・大きさ等: -

NDC: -

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資料に関する注記

一般注記：: We have found that the EL5 and EL6 traps in bulk GaAs are consisted of six traps (A1,A2,A3,A4,A5,A6) from Constant-Capacitance Voltage Transient Spect...

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 文書・図像類
タイトル: 一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価
著者・編者: 池田, 幸治
伊藤, 明
徳田, 豊
著者標目: 池田, 幸治
伊藤, 明
徳田, 豊
出版事項: 愛知工業大学
出版年月日等: 1998-03-31
出版年（W3CDTF）: 1998-03-31
並列タイトル等: イッテイヨウリョウデンアツカトブンコウホウニヨルバルク GAAS ケッショウチュウデンシトラップノヒョウカ
Evaluation of electron traps in bulk GaAs crystals by Constant-Capacitance Voltage Transient Spectroscopy
タイトル（掲載誌）: 愛知工業大学研究報告. B, 専門関係論文集 = Bulletin of Aichi Institute of Technology. Part B
巻号年月日等（掲載誌）: 33
掲載巻: 33
掲載ページ: 43-47
ISSN（掲載誌）: ISSN : 0387-0812
本文の言語コード: jpn
対象利用者: 一般
一般注記: We have found that the EL5 and EL6 traps in bulk GaAs are consisted of six traps (A1,A2,A3,A4,A5,A6) from Constant-Capacitance Voltage Transient Spectroscopy (CCVTS) measurement. In this study, we analyze the EL3 and EL2 traps in bulk GaAs by CCVTS, two traps which corresponds to OX and ELO traps are separated from the wave analysis of EL3 and EL2,respectively. The wafers used in this study are not intentionally doped with Oxygen. We discuss the relationship between concentrations of OX and ELO concentration.
identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/1059
記録形式（IMT）: application/pdf
一次資料へのリンクURL: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/1059/1/%e7%b4%80%e8%a6%8133%e5%8f%b7B%28P43-47%29.pdf
http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/1059/1/%e7%b4%80%e8%a6%8133%e5%8f%b7B%28P43-47%29.pdf
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ