シリコン基板上窒化物半導体の高品質化に関する研究

資料種別: 文書・図像類

著者: 澤木, 宣彦ほか

出版者: 愛知工業大学

出版年: 2011-09-05

資料形態: デジタル

ページ数・大きさ等: -

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資料に関する注記

一般注記：: Growth of a high quality GaN on a silicon substrate has been attempted. In order to prevent Ga-Si reaction at high temperatures, an AlInN alloy was te...

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 文書・図像類
タイトル: シリコン基板上窒化物半導体の高品質化に関する研究
著者・編者: 澤木, 宣彦
岩田, 博之
川北, 将吾
本田, 善央
著者標目: 澤木, 宣彦
岩田, 博之
川北, 将吾
本田, 善央
出版事項: 愛知工業大学
出版年月日等: 2011-09-05
出版年（W3CDTF）: 2011-09-05
並列タイトル等: シリコン　キバン　ジョウ　チッカブツ　ハンドウタイ　ノ　コウヒンシツカ　ニ　カンスル　ケンキュウ
Growth of high quality III-nitrides on silicon substrate
タイトル（掲載誌）: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
巻号年月日等（掲載誌）: 13
掲載巻: 13
掲載ページ: 19-22
ISSN（掲載誌）: ISSN : 1344-9672
本文の言語コード: jpn
対象利用者: 一般
一般注記: Growth of a high quality GaN on a silicon substrate has been attempted. In order to prevent Ga-Si reaction at high temperatures, an AlInN alloy was tested as the intermediate layer between the GaN grown layer and the Si substrate. It was found that a film as thin as 6nm reduces the threading dislocation density in the GaN top layer. In a carbon doped AlGaN on Si, FTIR spectra showed a new specific signal at 945cm-1 following a strong signal at 888cm-1 due to Al-N bond. The new signal was attributed to the LVM due to Al-C bond. This suggests that the carbon has been doped on the nitrogen site to be an acceptor in the AlGaN.
identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/1733
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
掲載誌（NCID）: AA11484797
https://ci.nii.ac.jp/ncid/AA11484797
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ