Si 基板上に成長した半極性GaNの欠陥構造評価

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Si 基板上に成長した半極性GaNの欠陥構造評価
• 著者・編者: 澤木, 宣彦; 中北, 太平; 伊藤, 翔梧; 岩田, 博之; 谷川, 智之; 本田, 善央; 山口, 雅史; 天野, 浩
• 著者標目: 澤木, 宣彦; 中北, 太平; 伊藤, 翔梧; 岩田, 博之; 谷川, 智之; 本田, 善央; 山口, 雅史; 天野, 浩
• 出版事項: 愛知工業大学
• 出版年月日等: 2013-09-30
• 出版年（W3CDTF）: 2013-09-30
• 並列タイトル等: Si キバンジョウ ニ セイチョウシタ ハンキョクセイ GaN ノ ケッカン コウゾウ ヒョウカ; Defect Structure in a Semi-polar GaN grown on an Si Substrate
• タイトル（掲載誌）: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
• 巻号年月日等（掲載誌）: 15
• 掲載巻: 15
• 掲載ページ: 27-30
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1344-9672
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: Defect structure on the coalescene of semipolar (1-101 )GaN grown on a pattemed Si substrate was investigated using high resolution transmission electron microscopy. The reduction of threading dislocation density was achieved by facet based growth mode on AIN nucleation layer， while the reduction of stacking faults density wa achieved by transition of multiple stacking errors to a single stacking erτor during the off-axis growth.; identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/2782
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/2782/1/%e7%b7%8f%e7%a0%9415%e5%8f%b7%28P27-30%29.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ