Si基板上高品質GaNの光学スペクトル

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Si基板上高品質GaNの光学スペクトル
• 著者・編者: 澤木, 宣彦; 伊藤, 翔悟; 小林, 宙主; 刑部, 勇希; 入江, 将嗣; 本田, 善央; 天野, 浩; 安, 亨洙
• 著者標目: 澤木, 宣彦; 伊藤, 翔悟; 小林, 宙主; 刑部, 勇希; 入江, 将嗣; 本田, 善央; 天野, 浩; 安, 亨洙
• 出版事項: 愛知工業大学
• 出版年月日等: 2014-09-30
• 出版年（W3CDTF）: 2014-09-30
• 並列タイトル等: Si キバンジョウ コウヒンシツ GaN ノ コウガク スペクトル; "Optical spectra of a high quality GaN grown on Si substrate"
• タイトル（掲載誌）: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
• 巻号年月日等（掲載誌）: 16
• 掲載巻: 16
• 掲載ページ: 29-33
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 1344-9672
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: "Optimization of the MOVPE growth processes of GaN on Si substrate has been attempted to improve the crystalline/optical properties at room temperature. It was found that the yellow luminescence band is suppressed substantially by adopting an AIInN buffer layer and an In doped AIN nucleation layer. The photoluminescence spectra showed strong and narrow edge emission peak. As far as the subband gap defect related emission band, four spectral peaks were found out at ; 514.5 nm (2.410eV), 546.5 nm (2.269eV), 553.5 nm (2.240eV), and 584.5 nm (2.121eV). The spectral peak energies were independent of the growth methods/conditions and the emission is attributed to the transition associated with an intrinsic defect in GaNas Ga vacancy."; identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/2841
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/2841/1/%e7%b7%8f%e7%a0%9416%e5%8f%b7%28P29-33%29.pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ