Growth and etching characteristics of (001) β- Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy

• 資料種別: 記事
• タイトル: Growth and etching characteristics of (001) β- Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy
• 著者・編者: Yuichi Oshima; Elaheh Ahmadi; Stephen Kaun; Feng Wu; James S Speck
• 著者標目: Yuichi Oshima; https://orcid.org/0000-0001-8293-4891; Elaheh Ahmadi; https://orcid.org/0000-0002-8330-9366; Stephen Kaun; Feng Wu; James S Speck
• 出版事項: IOP Publishing
• 出版年月日等: 2017-11-22
• 出版年（W3CDTF）: 2017-11-22
• タイトル（掲載誌）: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
• 巻号年月日等（掲載誌）: 33 1
• 掲載巻: 33
• 掲載号: 1
• 掲載ページ: 15013-15013
• ISSN（掲載誌）: ISSN : 02681242
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: β-Ga2O3; MBE
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.48505/nims.4360
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• 一次資料へのリンクURL: c-BGO-growth111017_SST__2ndSubmission_Final.pdf; https://mdr.nims.go.jp/downloads/cz30q0431
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
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• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 物質・材料研究機構 : Materials Data Repository