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目次
81(2) 1998.02
- マイクロ波ホトニクスの展望
p.237~244
- Si,Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
p.245~250
- 強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
p.251~258
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した超伝導量子干渉素子の静特性
p.259~265
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
p.266~267
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書誌情報
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- 資料種別
- 雑誌
- ISSN
- 0915-1907
- ISSN-L
- 0915-1907
- タイトル
- タイトルよみ
- デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
- 巻次・部編番号
- C-2281巻2号(通号110) 1998年2月
- 部編名
- エレクトロニクス電子素子・応用
- 著者・編者
- 電子情報通信学会 編