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Table of Contents
81(2) 1998.02
- マイクロ波ホトニクスの展望
p.237~244
- Si,Geのイオンビームスパッタ過程のモンテカルロシミュレーション
p.245~250
- 強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
p.251~258
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した超伝導量子干渉素子の静特性
p.259~265
- 極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
p.266~267
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0915-1907
- ISSN-L
- 0915-1907
- Title
- Title Transcription
- デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
- Volume
- C-2281巻2号(通号110) 1998年2月
- Part Title
- エレクトロニクス電子素子・応用
- Author/Editor
- 電子情報通信学会 編
- Author Heading
- 電子情報通信学会 デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ( 00258121 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.