大阪大学極限物質研究センター報告書 = Report(6)

• 資料種別: 雑誌
• ISSN: 0918-1156
• ISSN-L: 0918-1156
• タイトル: 大阪大学極限物質研究センター報告書
• タイトルよみ: オオサカ ダイガク キョクゲン ブッシツ ケンキュウ センター ホウコクショ
• 巻次・部編番号: (6)
• 著者・編者: 大阪大学極限物質研究センター 編
• 並列タイトル著者・編者: Research Center for Extreme Materials, Osaka University
• 著者標目: 大阪大学極限科学研究センター オオサカ ダイガク キョクゲン カガク ケンキュウ センター ( 01026224 )典拠
• 出版事項: 豊中 : 大阪大学極限物質研究センター
• 出版年月日等: 1996-01
• 出版年（W3CDTF）: 1996-01
• 刊行巻次・年月次: No. 1 (1990)-no. 6 (1995)
• 大きさ: 26cm
• 並列タイトル等: Report Report; Report
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZM35
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による
• DOI: 10.11501/2296144; https://doi.org/10.11501/2296144
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/2296144; https://dl.ndl.go.jp/pid/2296144
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2011-03-31
• 受理日（W3CDTF）: 2011-06-30T12:11:40+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: No. 1 (1990)-no. 6 (1995)
• 請求記号: Z15-731
• 原資料（JPNO）: 00083233
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/2384417; https://dl.ndl.go.jp/pid/2384417
• 改題後（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3380894; https://dl.ndl.go.jp/pid/3380894
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

埋め込み量子構造作製のための成長中断とFIB注入の効果

イオン散乱分光法によるGaAs表面の観察

in-plane gate single-erectron transistorの作製

低エネルギー集束イオンビームによるAu及びSiの直接デポジション

シリコン冷陰極アレイのFIB(Focused Ion Beam)による先鋭化