大阪大学極限物質研究センター報告書 = Report(6)

• Material Type: 雑誌
• Title: 大阪大学極限物質研究センター報告書
• Title Transcription: オオサカ ダイガク キョクゲン ブッシツ ケンキュウ センター ホウコクショ
• Volume: (6)
• Author/Editor: 大阪大学極限物質研究センター 編
• Author/Editor (Alternative Title): Research Center for Extreme Materials, Osaka University
• Author Heading: 大阪大学極限科学研究センター オオサカ ダイガク キョクゲン カガク ケンキュウ センター ( 01026224 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 豊中 : 大阪大学極限物質研究センター
• Publication Date: 1996-01
• Publication Date (W3CDTF): 1996-01
• Year and volume of publication: No. 1 (1990)-no. 6 (1995)
• Size: 26cm
• Alternative Title: Report Report; Report
• ISSN (Periodical Title): 0918-1156
• ISSN-L (Periodical Title): 0918-1156
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZM35
• Note (General): 本タイトル等は最新号による
• DOI: 10.11501/2296144; https://doi.org/10.11501/2296144
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/2296144; https://dl.ndl.go.jp/pid/2296144
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• Producer: 国立国会図書館
• Production year (W3CDTF): 2011-03-31
• Date Accepted (W3CDTF): 2011-06-30T12:11:40+09:00
• Format (IMT): image/jp2
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Year and volume of holding: No. 1 (1990)-no. 6 (1995)
• Call No.: Z15-731
• Original Material (JPNO): 00083233
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/2384417; https://dl.ndl.go.jp/pid/2384417
• Continues (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/3380894; https://dl.ndl.go.jp/pid/3380894
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

Table of Contents

埋め込み量子構造作製のための成長中断とFIB注入の効果

イオン散乱分光法によるGaAs表面の観察

in-plane gate single-erectron transistorの作製

低エネルギー集束イオンビームによるAu及びSiの直接デポジション

シリコン冷陰極アレイのFIB(Focused Ion Beam)による先鋭化