応用電子物性分科会誌 = Bulletin of solid state physics and applications

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: 応用電子物性分科会誌
• タイトルよみ: オウヨウ デンシ ブッセイ ブンカカイシ
• 巻次・部編番号: 31巻1号 2025年
• 著者・編者: 応用物理学会応用電子物性分科会 編
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: [東京] : 応用物理学会
• 出版年月日等: 2025
• 出版年（W3CDTF）: 2025
• 刊行巻次・年月次: 1巻1号 (1995)-
• 大きさ: 26-30cm
• 並列タイトル等: Bulletin of solid state physics and applications Bulletin of solid state physics and applications; Bulletin of solid state physics and applications; 応用電子物性分科会会誌 オウヨウ デンシ ブッセイ ブンカカイ カイシ
• ISSN（掲載誌）: 1341-5123
• ISSN-L（掲載誌）: 1341-5123
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZM35; ZN33
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による; 3巻2号以降の並列タイトル: Bulletin of solid state physics and applications
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z15-B78
• 改題前: 継続前 : 応用電子物性分科会研究報告 / 応用物理学会応用電子物性分科会 編; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000081955
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000095922; http://id.ndl.go.jp/bib/000000095922
• 目録規則: 国立国会図書館逐次刊行物目録規則

目次

高チャネル移動度と安定なノーマリーオフ動作を実現するGaN MOSFETの界面電荷制御 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

Mgイオン注入の進展とGaN JBSダイオードの実証 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

AlN電子デバイス技術の進展 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

超高耐圧SiC IGBTの開発とその低損失化 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

SiC MOSFETにおけるゲート酸化膜の信頼性評価 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)