応用電子物性分科会誌 = Bulletin of solid state physics and applications

• Material Type: 雑誌
• Title: 応用電子物性分科会誌
• Title Transcription: オウヨウ デンシ ブッセイ ブンカカイシ
• Volume: 31巻1号 2025年
• Author/Editor: 応用物理学会応用電子物性分科会 編
• Author Heading: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: [東京] : 応用物理学会
• Publication Date: 2025
• Publication Date (W3CDTF): 2025
• Year and volume of publication: 1巻1号 (1995)-
• Size: 26-30cm
• Alternative Title: Bulletin of solid state physics and applications Bulletin of solid state physics and applications; Bulletin of solid state physics and applications; 応用電子物性分科会会誌 オウヨウ デンシ ブッセイ ブンカカイ カイシ
• ISSN (Periodical Title): 1341-5123
• ISSN-L (Periodical Title): 1341-5123
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZM35; ZN33
• Note (General): 本タイトル等は最新号による; 3巻2号以降の並列タイトル: Bulletin of solid state physics and applications
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z15-B78
• Replaces: 継続前 : 応用電子物性分科会研究報告 / 応用物理学会応用電子物性分科会 編; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000081955
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000095922; http://id.ndl.go.jp/bib/000000095922
• Cataloging Rule: National Diet Library Cataloging Rules for Serials

Table of Contents

高チャネル移動度と安定なノーマリーオフ動作を実現するGaN MOSFETの界面電荷制御 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

Mgイオン注入の進展とGaN JBSダイオードの実証 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

AlN電子デバイス技術の進展 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

超高耐圧SiC IGBTの開発とその低損失化 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)

SiC MOSFETにおけるゲート酸化膜の信頼性評価 (ワイドギャップ半導体電子デバイスの最前線)