Sony Corporation Research Center Reports12;1973

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: Sony Corporation Research Center Reports
• 巻次・部編番号: 12;1973
• 出版事項: Yokohama : Sony Corp. Research Center
• 出版年月日等: [1973]
• 出版年（W3CDTF）: 1973
• 刊行巻次・年月次: 8:1969 - 14:1975
• 大きさ: 26 cm
• ISSN（掲載誌）: 0388-0893
• ISSN-L（掲載誌）: 0388-0893
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng; jpn
• NDLC: ZN33
• 一般注記: Description based on the latest issue
• 改題等に関する注記: 継続前誌: Sony Research Laboratory Scientific Reports
• DOI: 10.11501/11028197; https://doi.org/10.11501/11028197
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11028197; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028197
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 一般注記（コンテンツ）: 汚損：p.890
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2018-03-09
• 受理日（W3CDTF）: 2018-01-15T18:33:35+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 8:1969 - 14:1975
• 請求記号: Z53-M448
• 原資料（JPNO）: 10019578
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11028936; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028936
• 改題後（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11028960; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028960
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

CONTENTS/

PART 1 FULL PAPERS//～121

A New Method of Growing GaP Crystals for Light-Emitting Diodes Proc. IEEE, July 1973(also J. Denki Kagaku, Vol. 41, No. 7, pp560-564)/K. KANEKO. M. AYABE ; M. DOSEN ; K. MORIZANE ; S. USUI ; N. WATANABE/～890

Efficient Red LEDs of GaP by Vapor Phase Doping of Zinc Japan. J. Appl. Phys., Vol. 12, No. 11, pp1732-1736/Kunio KANEKO ; Masashi DOSEN ; Naozo WATANABE/1732～1736

Technology for Monolithic High-Power Integrated Circuits Using Polycrystalline Si for Collector and Isolation Walls IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. ED-20, No. 4, pp309-404/Isamu KABAYASHI/～404