Extended Abstracts of International Conference on Solid State Devices and Materials1994

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: Extended Abstracts of International Conference on Solid State Devices and Materials
• 巻次・部編番号: 1994
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
• 出版年月日等: 1994-08
• 出版年（W3CDTF）: 1994-08
• 刊行巻次・年月次: [ ]-22nd (1990) ; 1991-2008
• 大きさ: 30 cm
• 並列タイトル等: Extended Abstracts of Conference on Solid State Devices and Materials
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: ZM35
• 一般注記: Description based on the latest issue; Title: Extended Abstracts of Conference on Solid State Devices and Materials (- v.22)
• DOI: 10.11501/11019411; https://doi.org/10.11501/11019411
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11019411; https://dl.ndl.go.jp/pid/11019411
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2018-03-09
• 受理日（W3CDTF）: 2018-01-15T18:38:08+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 著作権情報: 国立国会図書館／図書館送信参加館内公開
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 18th (1986)- 22nd (1990) ; 1991-2008; Previous issues catalogued as monograph
• 請求記号: Z63-B262
• 原資料（JPNO）: 10040101
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11028911; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028911
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

CONTENTS//15～36

Symposium I-1: APCT'94 Epitaxial Growth//1～15

(1) Growth Dynamics of III-V Semiconductor Films (Invited)/B. A. Joyce/1～3

(2) Two Dimensional Growth of GaN on Various Substrates by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using RF-Radical Nitrogen Source/A. Kikuchi ; H. Hoshi ; K. Kishino/4～6

(3) Plasma-Assisted MOCVD Growth of GaAs／GaN／GaAs Thin-Layer Structures by N-As Replacement Using N-Radicals/M. Sato/7～9