Sony Research Center Reports25;1986

• 資料種別: 雑誌
• タイトル: Sony Research Center Reports
• 巻次・部編番号: 25;1986
• 出版事項: Yokohama : Sony Corp. Research Center
• 出版年月日等: [1986]
• 出版年（W3CDTF）: 1986
• 刊行巻次・年月次: 15:1976 - 25:1986
• 大きさ: 26 cm
• ISSN（掲載誌）: 0388-0893
• ISSN-L（掲載誌）: 0388-0893
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng; jpn
• NDLC: ZN33
• 一般注記: Description based on the latest issue
• DOI: 10.11501/11028210; https://doi.org/10.11501/11028210
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11028210; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028210
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2018-03-09
• 受理日（W3CDTF）: 2018-01-15T18:38:14+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: 15:1976 - 25:1986
• 請求記号: Z53-M448
• 原資料（JPNO）: 10040687
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11028960; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028960
• 改題前（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11028936; https://dl.ndl.go.jp/pid/11028936
• 改題後（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11029054; https://dl.ndl.go.jp/pid/11029054
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

Contents/

PART 1 Full Papers and Short Notes//～266

Compound Semiconductor Materials//1～32

Thermal Etching of GaAs by Hydrogen Under Arsenic Overpressure/A. Okubora ; J. Kasahara ; M. Arai ; N. Watanabe/1～4

MOCVD Growth of AlGaInP at Atmospheric Pressure Using Triethylmetals and Phosphine/M. Ikeda ; K. Nakano ; Y. Mori ; K. Kaneko ; N. Watanabe/5～10