Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAPPart. 1 33(2)(396);FEBRUARY 1994

• 資料種別: 雑誌
• ISSN: 0021-4922
• ISSN-L: 0021-4922
• タイトル: Japanese journal of applied physics
• 巻次・部編番号: Part. 1; 33(2)(396);FEBRUARY 1994
• 部編名: Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版年月日等: 1994-02
• 出版年（W3CDTF）: 1994-02
• 刊行巻次・年月次: v. 21, no. 1 (Jan. 1982)-v. 46, no. 12 (Dec. 2007)
• 大きさ: 30 cm
• 並列タイトル等: Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers, short notes; Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers, short notes & review papers
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng; fre; ger
• NDLC: ZM35
• 一般注記: Description based on the latest issue; Title varies slightly; 29 (11) =341; With: Suppl
• 総目次・総索引注記: 総目次・総索引あり
• DOI: 10.11501/11196150; https://doi.org/10.11501/11196150
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11196150; https://dl.ndl.go.jp/pid/11196150
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• 製作者: 国立国会図書館
• 製作年（W3CDTF）: 2019-03-15
• 受理日（W3CDTF）: 2018-12-04T13:53:28+09:00
• 記録形式（IMT）: image/jp2
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵巻次・年月次（所蔵事項）: v. 21, no. 1 (Jan. 1982)-v. 46, no. 12 (Dec. 2007)
• 請求記号: Z53-A375
• 原資料（JPNO）: 10054219
• 関連情報（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11399507; https://dl.ndl.go.jp/pid/11399507
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11196685; https://dl.ndl.go.jp/pid/11196685
• 改題前（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11196682; https://dl.ndl.go.jp/pid/11196682
• 改題後（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11227790; https://dl.ndl.go.jp/pid/11227790
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

CONTENTS/

Semiconductors//943～

Effect of Surface Treatments after HF Etching on Oxidation of Si/Masatoshi EGAWA ; Hideaki IKOMA/943～

Contributions of Silicon-Hydride Radicals to Hydrogenated Amorphous Silicon Film Formation in Windowless Photochemical Vapor Deposition System/Yoshinori SAWADO ; Takeshi AKIYAMA ; Tomo UENO ; Koichi KAMISAKO ; Koichi KUROIWA ; Yasuo TARUI/950～

Si Epitaxy below 400℃ from Fluorinated Precursors SiF[n]H[m](n+m≤3) under In Situ Observation with Ellipsometry/Tetsuya AKASAKA ; Yuhzo ARAKI ; Isamu SHIMIZU/956～