Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOCVD and its application to optoelectronic devices

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOCVD and its application to optoelectronic devices
• 著者・編者: 江川孝志 [著]
• 著者標目: 江川, 孝志 エガワ, タカシ
• 並列タイトル等: MOCVD法を用いたSi上へのGaAsヘテロエピタキシャル成長および光電子デバイスへの応用 MOCVDホウ オ モチイタ Siジョウ エ ノ GaAs ヘテロエピタキシャル セイチョウ オヨビ コウデンシ デバイス エ ノ オウヨウ
• 授与機関名: 名古屋工業大学
• 授与年月日: 平成3年3月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1991
• 報告番号: 甲第61号
• 学位: 工学博士
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51; UT31
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-91-G14
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000239949; http://id.ndl.go.jp/bib/000000239949
• 整理区分コード: 213

目次

CONTENTS

Chapter 1. Introduction

1.1 Background

1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si

1.3 Device Applications