Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOCVD and its application to optoelectronic devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOCVD and its application to optoelectronic devices
• Author/Editor: 江川孝志 [著]
• Author Heading: 江川, 孝志 エガワ, タカシ
• Alternative Title: MOCVD法を用いたSi上へのGaAsヘテロエピタキシャル成長および光電子デバイスへの応用 MOCVDホウ オ モチイタ Siジョウ エ ノ GaAs ヘテロエピタキシャル セイチョウ オヨビ コウデンシ デバイス エ ノ オウヨウ
• Degree Grantor: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成3年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 1991
• Dissertation Number: 甲第61号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-91-G14
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000239949; http://id.ndl.go.jp/bib/000000239949
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

Chapter 1. Introduction

1.1 Background

1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si

1.3 Device Applications