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国立国会図書館デジタルコレクション
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Table of Contents
CONTENTS
Chapter 1. Introduction
p1
1.1 Background
p1
1.2 Heteroepitaxial Growth of GaAs Layers on Si
p4
1.3 Device Applications
p6
Holdings of Libraries in Japan
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Author/Editor
- 江川孝志 [著]
- Author Heading
- 江川, 孝志 エガワ, タカシ
- Alternative Title
- MOCVD法を用いたSi上へのGaAsヘテロエピタキシャル成長および光電子デバイスへの応用 MOCVDホウ オ モチイタ Siジョウ エ ノ GaAs ヘテロエピタキシャル セイチョウ オヨビ コウデンシ デバイス エ ノ オウヨウ
- Degree grantor/type
- 名古屋工業大学
- Date Granted
- 平成3年3月23日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1991
- Dissertation Number
- 甲第61号
- Degree Type
- 工学博士