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目次
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第1章 序論
p1
1.1 絶縁体上への単結晶Si成長技術(SOI)の必要性
p1
1.2 SOI形成技術に関する従来の研究
p2
1.3 従来のSOI研究で未解決の課題
p3
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- レーザー サイケッショウカホウ ニ ヨル ヒショウシツ ゼツエンマクジョウ エ ノ タンケッショウ シリコン セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 小椋厚志 [著]
- 授与機関名
- 早稲田大学
- 授与年月日
- 平成3年3月7日
- 授与年月日(W3CDTF)
- 1991
- 報告番号
- 乙第816号
- 学位
- 工学博士