レーザー再結晶化法による非晶質絶縁膜上への単結晶シリコン成長に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: レーザー再結晶化法による非晶質絶縁膜上への単結晶シリコン成長に関する研究
• Title Transcription: レーザー サイケッショウカホウ ニ ヨル ヒショウシツ ゼツエンマクジョウ エ ノ タンケッショウ シリコン セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 小椋厚志 [著]
• Author Heading: 小椋, 厚志 オグラ, アツシ ( 01217893 )Authorities
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成3年3月7日
• Date Granted (W3CDTF): 1991
• Dissertation Number: 乙第816号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-91-K493
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000240968; http://id.ndl.go.jp/bib/000000240968
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 絶縁体上への単結晶Si成長技術(SOI)の必要性

1.2 SOI形成技術に関する従来の研究

1.3 従来のSOI研究で未解決の課題