アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
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概要
p1
記号表
p8
第1章 序言
p1
1-1 薄膜トランジスタ(TFT)研究の歴史的背景と研究目的
p1
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 野口隆 [著]
- 著者標目
- 野口, 隆 ノグチ, タカシ
- 授与機関名
- 同志社大学
- 授与年月日
- 平成4年2月28日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1992
- 報告番号
- 乙第96号
- 学位
- 工学博士