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博士論文

アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究

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国立国会図書館デジタルコレクション

アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究

Call No. (NDL)
UT51-92-D270
Bibliographic ID of National Diet Library
000000246531
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3086872
Material type
博士論文
Author
野口隆 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
同志社大学,工学博士
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博士論文

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  • 目次

  • 概要

    p1

  • 記号表

    p8

  • 第1章 序言

    p1

  • 1-1 薄膜トランジスタ(TFT)研究の歴史的背景と研究目的

    p1

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title
アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
Title Transcription
アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
野口隆 [著]
Author Heading
野口, 隆 ノグチ, タカシ
Degree grantor/type
同志社大学
Date Granted
平成4年2月28日
Date Granted (W3CDTF)
1992
Dissertation Number
乙第96号
Degree Type
工学博士