アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
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Table of Contents
目次
概要
p1
記号表
p8
第1章 序言
p1
1-1 薄膜トランジスタ(TFT)研究の歴史的背景と研究目的
p1
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 野口隆 [著]
- Author Heading
- 野口, 隆 ノグチ, タカシ
- Degree grantor/type
- 同志社大学
- Date Granted
- 平成4年2月28日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 乙第96号
- Degree Type
- 工学博士