Growth processes and fundamental properties of amorphous semiconductor superlattices of a-Ge:H/a-Genx & a-Si:H/a-Sinx

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Growth processes and fundamental properties of amorphous semiconductor superlattices of a-Ge:H/a-Genx & a-Si:H/a-Sinx
• 著者・編者: 本間格 [著]
• 著者標目: 本間, 格 ホンマ, イタル ( 01218874 )典拠
• 並列タイトル等: アモルファス半導体超格子の作成と基礎物性 アモルファス ハンドウタイ チョウコウシ ノ サクセイ ト キソ ブッセイ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成2年6月14日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1990
• 報告番号: 乙第9746号
• 学位: 工学博士
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51; UT31
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-91-W73
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000247387; http://id.ndl.go.jp/bib/000000247387
• 整理区分コード: 213

目次

PROLOGUE

ACKNOWLEDGEMENT

List of Publications

Contents

Chapter I.Introduction