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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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第1章 序論
p1
1-1 DRAMの構造と動作機構
p2
1-2 スタック型メモリ・セル製造プロセス
p5
1-3 ドライ・エッチングの種類と機構
p11
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- ハンノウセイ イオン エッチング ニ ヨル シリコン ヒョウメン ノ デンキテキ ソンショウ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 浅井明 [著]
- 著者標目
- 浅井, 明 アサイ, アキラ
- 授与機関名
- 同志社大学
- 授与年月日
- 平成5年3月21日
- 授与年月日(W3CDTF)
- 1993
- 報告番号
- 甲第40号
- 学位
- 博士 (工学)