反応性イオンエッチングによるシリコン表面の電気的損傷に関する研究
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Table of Contents
目次
第1章 序論
p1
1-1 DRAMの構造と動作機構
p2
1-2 スタック型メモリ･セル製造プロセス
p5
1-3 ドライ･エッチングの種類と機構
p11
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- ハンノウセイ イオン エッチング ニ ヨル シリコン ヒョウメン ノ デンキテキ ソンショウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 浅井明 [著]
- Author Heading
- 浅井, 明 アサイ, アキラ
- Degree grantor/type
- 同志社大学
- Date Granted
- 平成5年3月21日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1993
- Dissertation Number
- 甲第40号
- Degree Type
- 博士 (工学)