Energy distribution measurements of secondary ions and their application to preparation of sputter deposited SiO[2] films

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Energy distribution measurements of secondary ions and their application to preparation of sputter deposited SiO[2] films
• 著者・編者: 大脇健史 [著]
• 著者標目: 大脇, 健史 オオワキ, タケシ
• 並列タイトル等: 二次イオンのエネルギー分布測定とスパッタSiO[2]膜作製への応用 ニジ イオン ノ エネルギー ブンプ ソクテイ ト スパッタ SiO2マク サクセイ エ ノ オウヨウ
• 授与機関名: 名古屋大学
• 授与年月日: 平成5年8月16日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1993
• 報告番号: 乙第4450号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-93-T325
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000265047; http://id.ndl.go.jp/bib/000000265047
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

I.General introduction

I-1 Main purpose of this thesis

I-2 Sputtering and sputter deposition

I-3 SiO₂ films