Energy distribution measurements of secondary ions and their application to preparation of sputter deposited SiO[2] films

• Material Type: 博士論文
• Title: Energy distribution measurements of secondary ions and their application to preparation of sputter deposited SiO[2] films
• Author/Editor: 大脇健史 [著]
• Author Heading: 大脇, 健史 オオワキ, タケシ
• Alternative Title: 二次イオンのエネルギー分布測定とスパッタSiO[2]膜作製への応用 ニジ イオン ノ エネルギー ブンプ ソクテイ ト スパッタ SiO2マク サクセイ エ ノ オウヨウ
• Degree Grantor: 名古屋大学
• Date Granted: 平成5年8月16日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 乙第4450号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-T325
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000265047; http://id.ndl.go.jp/bib/000000265047
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

I.General introduction

I-1 Main purpose of this thesis

I-2 Sputtering and sputter deposition

I-3 SiO₂ films