MOVPE growth and characterization of GaAs/GaAs[1-x]P[x] strained-layer quantum wells

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: MOVPE growth and characterization of GaAs/GaAs[1-x]P[x] strained-layer quantum wells
• 著者・編者: 張雄 [著]
• 著者標目: 張, 雄 ズアン, シュン
• 並列タイトル等: MOVPE法によるGaAs/GaAsP歪み薄膜量子井戸の作製及び光物性に関する研究 MOVPEホウ ニ ヨル GaAs
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成4年6月18日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1992
• 報告番号: 甲第9686号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 著者別名: Zhang, Xiong
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-94-N16
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000273006; http://id.ndl.go.jp/bib/000000273006
• 整理区分コード: 213

目次

CONTENTS

Chapter1.Introduction

1.1 Background of the Study

1.2 Organization of the Thesis

Chapter2.Principles of Strained-Layer Quantum Well Structures