MOVPE growth and characterization of GaAs/GaAs[1-x]P[x] strained-layer quantum wells

• Material Type: 博士論文
• Title: MOVPE growth and characterization of GaAs/GaAs[1-x]P[x] strained-layer quantum wells
• Author/Editor: 張雄 [著]
• Author Heading: 張, 雄 ズアン, シュン
• Alternative Title: MOVPE法によるGaAs/GaAsP歪み薄膜量子井戸の作製及び光物性に関する研究 MOVPEホウ ニ ヨル GaAs
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成4年6月18日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 甲第9686号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Alias of Author: Zhang, Xiong
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-94-N16
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000273006; http://id.ndl.go.jp/bib/000000273006
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

Chapter1.Introduction

1.1 Background of the Study

1.2 Organization of the Thesis

Chapter2.Principles of Strained-Layer Quantum Well Structures