Growth mechanism and properties of aluminum nitride prepared by chemical vapor deposition

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Growth mechanism and properties of aluminum nitride prepared by chemical vapor deposition
• 著者・編者: 金煕濬 [著]
• 著者標目: 金, 煕濬 キム, ヒィジュン
• 並列タイトル等: CVD法による窒素アルミニウムの合成機構と物性 CVDホウ ニ ヨル チッソ アルミニウム ノ ゴウセイ キコウ ト ブッセイ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成4年9月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1992
• 報告番号: 甲第9704号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 著者別名: Kim, Hee-joon
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-94-N34
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000273024; http://id.ndl.go.jp/bib/000000273024
• 整理区分コード: 213

目次

CONTENTS

CHAPTER1 Introduction and Historical Background

Introduction

Historical Background

1-1.Formation of AlN Film