Growth mechanism and properties of aluminum nitride prepared by chemical vapor deposition

• Material Type: 博士論文
• Title: Growth mechanism and properties of aluminum nitride prepared by chemical vapor deposition
• Author/Editor: 金煕濬 [著]
• Author Heading: 金, 煕濬 キム, ヒィジュン
• Alternative Title: CVD法による窒素アルミニウムの合成機構と物性 CVDホウ ニ ヨル チッソ アルミニウム ノ ゴウセイ キコウ ト ブッセイ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成4年9月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 甲第9704号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Alias of Author: Kim, Hee-joon
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-94-N34
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000273024; http://id.ndl.go.jp/bib/000000273024
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

CHAPTER1 Introduction and Historical Background

Introduction

Historical Background

1-1.Formation of AlN Film