博士論文

Growth of group-Ⅳ semiconductor heterostructures with controlled interfaces and observation of band-edge luminescence from strained Si[1-x]Ge[x]/Si quantum wells

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Growth of group-Ⅳ semiconductor heterostructures with controlled interfaces and observation of band-edge luminescence from strained Si[1-x]Ge[x]/Si quantum wells

国立国会図書館請求記号
UT51-94-P253
国立国会図書館書誌ID
000000273765
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3095772
資料種別
博士論文
著者
深津晋 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京大学,博士 (工学)
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資料に関する注記

一般注記：

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目次

  • Table of contents

    p3

  • Acknowledgments

    p2

  • Abstract

    p4

  • List of Figures

    p5

  • 1.Introduction

    p1

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書誌情報

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紙 デジタル

資料種別
博士論文
タイトル
Growth of group-Ⅳ semiconductor heterostructures with controlled interfaces and observation of band-edge luminescence from strained Si[1-x]Ge[x]/Si quantum wells
著者・編者
深津晋 [著]
著者標目
深津, 晋 フカツ, ススム ( 01111832 )典拠
並列タイトル等
Ⅳ属半導体ヘテロ構造の成長制御とSi[1-x]Ge[x]/Si歪量子井戸のバンド端ルミネセンス 4ゾク ハンドウタイ ヘテロ コウゾウ ノ セイチョウ セイギョ ト Si1-xGex/Si ヒズミ リョウシ イド ノ バンドタン ルミネセンス
授与機関名
東京大学
授与年月日
平成4年10月15日
授与年月日（W3CDTF）
1992
報告番号
乙第10914号
学位
博士 (工学)