Growth of group-Ⅳ semiconductor heterostructures with controlled interfaces and observation of band-edge luminescence from strained Si[1-x]Ge[x]/Si quantum wells

• Material Type: 博士論文
• Title: Growth of group-Ⅳ semiconductor heterostructures with controlled interfaces and observation of band-edge luminescence from strained Si[1-x]Ge[x]/Si quantum wells
• Author/Editor: 深津晋 [著]
• Author Heading: 深津, 晋 フカツ, ススム ( 01111832 )Authorities
• Alternative Title: Ⅳ属半導体ヘテロ構造の成長制御とSi[1-x]Ge[x]/Si歪量子井戸のバンド端ルミネセンス 4ゾク ハンドウタイ ヘテロ コウゾウ ノ セイチョウ セイギョ ト Si1-xGex/Si ヒズミ リョウシ イド ノ バンドタン ルミネセンス
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成4年10月15日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 乙第10914号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-94-P253
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000273765; http://id.ndl.go.jp/bib/000000273765
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Table of contents

Acknowledgments

Abstract

List of Figures

1.Introduction