Study on strain-enhanced structural changes in semiconductor epitaxial films

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study on strain-enhanced structural changes in semiconductor epitaxial films
• 著者・編者: 荒木努 [著]
• 著者標目: 荒木, 努 アラキ, ツトム
• 並列タイトル等: 半導体エピタキシャル薄膜における歪誘起構造変化に関する研究 ハンドウタイ エピタキシャル ハクマク ニ オケル ヒズミ ユウキ コウゾウ ヘンカ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 大阪府立大学
• 授与年月日: 平成9年1月31日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1997
• 報告番号: 甲第430号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-97-B415
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000305627; http://id.ndl.go.jp/bib/000000305627
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

1.General Introduction

2.Structural inhomogeneity in strained SiGe films examined by two kinds of stress measurements

2.1.Introduction

2.2.Experimental