Study on strain-enhanced structural changes in semiconductor epitaxial films

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on strain-enhanced structural changes in semiconductor epitaxial films
• Author/Editor: 荒木努 [著]
• Author Heading: 荒木, 努 アラキ, ツトム
• Alternative Title: 半導体エピタキシャル薄膜における歪誘起構造変化に関する研究 ハンドウタイ エピタキシャル ハクマク ニ オケル ヒズミ ユウキ コウゾウ ヘンカ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪府立大学
• Date Granted: 平成9年1月31日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 甲第430号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-B415
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000305627; http://id.ndl.go.jp/bib/000000305627
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1.General Introduction

2.Structural inhomogeneity in strained SiGe films examined by two kinds of stress measurements

2.1.Introduction

2.2.Experimental