化合物半導体デバイス用ドライプロセス技術に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 化合物半導体デバイス用ドライプロセス技術に関する研究
• タイトルよみ: カゴウブツ ハンドウタイ デバイスヨウ ドライ プロセス ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 三谷克彦 [著]
• 著者標目: 三谷, 克彦 ミタニ, カツヒコ
• 授与機関名: 名古屋大学
• 授与年月日: 平成8年12月9日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1996
• 報告番号: 乙第5113号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-97-G145
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000308013; http://id.ndl.go.jp/bib/000000308013
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

1-1 GaAs電子デバイスの位置付け

1-2 超高速化,高集積化のためのプロセス課題

1-3 電極プロセスの現状と課題