博士論文

半導体GaAs結晶成長ならびにデバイスプロセス誘起格子欠陥の低減化に関する研究

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半導体GaAs結晶成長ならびにデバイスプロセス誘起格子欠陥の低減化に関する研究

国立国会図書館請求記号
UT51-97-H387
国立国会図書館書誌ID
000000308788
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3123600
資料種別
博士論文
著者
中西秀男 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
京都大学,博士 (工学)
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目次

  • 論文目録

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 はじめに

    p1

  • 1.2 研究の背景

    p2

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
ハンドウタイ GaAs ケッショウ セイチョウ ナラビニ デバイス プロセス ユウキ コウシ ケッカン ノ テイゲンカ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
中西秀男 [著]
著者標目
中西, 秀男 ナカニシ, ヒデオ
授与機関名
京都大学
授与年月日
平成9年3月24日
授与年月日(W3CDTF)
1997
報告番号
乙第9550号
学位
博士 (工学)