半導体GaAs結晶成長ならびにデバイスプロセス誘起格子欠陥の低減化に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 半導体GaAs結晶成長ならびにデバイスプロセス誘起格子欠陥の低減化に関する研究
• Title Transcription: ハンドウタイ GaAs ケッショウ セイチョウ ナラビニ デバイス プロセス ユウキ コウシ ケッカン ノ テイゲンカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 中西秀男 [著]
• Author Heading: 中西, 秀男 ナカニシ, ヒデオ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成9年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第9550号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-H387
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000308788; http://id.ndl.go.jp/bib/000000308788
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1.1 はじめに

1.2 研究の背景