清浄及びH[2]S処理したGaP(100), InP(100), InAs(100)表面の構造と電子状態の研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 清浄及びH[2]S処理したGaP(100), InP(100), InAs(100)表面の構造と電子状態の研究
• タイトルよみ: セイジョウ オヨビ H2S ショリシタ GaP(100) , InP(100) , InAs(100) ヒョウメン ノ コウゾウ ト デンシ ジョウタイ ノ ケンキュウ
• 著者・編者: 下村勝 [著]
• 著者標目: 下村, 勝 シモムラ, マサル
• 授与機関名: 静岡大学
• 授与年月日: 平成9年3月22日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1997
• 報告番号: 甲第147号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-97-L87
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000310096; http://id.ndl.go.jp/bib/000000310096
• 整理区分コード: 213

目次

論文の要旨

目次

第1章 序論

参考文献

第2章 実験