清浄及びH[2]S処理したGaP(100), InP(100), InAs(100)表面の構造と電子状態の研究

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清浄及びH[2]S処理したGaP(100), InP(100), InAs(100)表面の構造と電子状態の研究

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Material Type: 博士論文
Title: 清浄及びH[2]S処理したGaP(100), InP(100), InAs(100)表面の構造と電子状態の研究
Title Transcription: セイジョウオヨビ H2S ショリシタ GaP(100) , InP(100) , InAs(100) ヒョウメンノコウゾウトデンシジョウタイノケンキュウ
Author/Editor: 下村勝 [著]
Author Heading: 下村, 勝シモムラ, マサル
Degree grantor/type: 静岡大学
Date Granted: 平成9年3月22日
Date Granted (W3CDTF): 1997
Dissertation Number: 甲第147号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-97-L87
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000310096
http://id.ndl.go.jp/bib/000000310096
Bibliographic Record Category (NDL): 213