Studies of high quality InP layers heteroepitaxially grown on Si substrates by epitaxial lateral overgrowth

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Studies of high quality InP layers heteroepitaxially grown on Si substrates by epitaxial lateral overgrowth
• 著者・編者: 成塚重弥 [著]
• 著者標目: 成塚, 重弥 ナリツカ, シゲヤ
• 並列タイトル等: 横方向成長によるSi基板上のInPヘテロエピタキシーに関する研究 ヨコホウコウ セイチョウ ニ ヨル Si キバンジョウ ノ InP ヘテロエピタキシー ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成8年3月29日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1996
• 報告番号: 甲第11825号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-97-Q385
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000312554; http://id.ndl.go.jp/bib/000000312554
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

1 Introduction

1.1 Historical Background

1.2 Motivation of this Research

2 Epitaxial Lateral Overgrowth of InP on InP Substrates