Studies of high quality InP layers heteroepitaxially grown on Si substrates by epitaxial lateral overgrowth

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies of high quality InP layers heteroepitaxially grown on Si substrates by epitaxial lateral overgrowth
• Author/Editor: 成塚重弥 [著]
• Author Heading: 成塚, 重弥 ナリツカ, シゲヤ
• Alternative Title: 横方向成長によるSi基板上のInPヘテロエピタキシーに関する研究 ヨコホウコウ セイチョウ ニ ヨル Si キバンジョウ ノ InP ヘテロエピタキシー ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成8年3月29日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第11825号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-Q385
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000312554; http://id.ndl.go.jp/bib/000000312554
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1 Introduction

1.1 Historical Background

1.2 Motivation of this Research

2 Epitaxial Lateral Overgrowth of InP on InP Substrates