CZ-Si単結晶中の酸化物析出と酸化誘起積層欠陥に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: CZ-Si単結晶中の酸化物析出と酸化誘起積層欠陥に関する研究
• タイトルよみ: CZ-Si タンケッショウチュウ ノ サンカブツ セキシュツ ト サンカ ユウキ セキソウ ケッカン ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 末岡浩治 [著]
• 著者標目: 末岡, 浩治 スエオカ, コウジ
• 授与機関名: 京都大学
• 授与年月日: 平成9年7月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1997
• 報告番号: 乙第9662号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-97-S329
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000313751; http://id.ndl.go.jp/bib/000000313751
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

目次

第1章 序論

第2章 低温(700-900℃)熱処理による酸素析出物の形態と成長過程

2-1 序(従来の研究と問題点)