Ion beam applications to high-speed Si VLSI's : structure analysis and phase transformation

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Ion beam applications to high-speed Si VLSI's : structure analysis and phase transformation
• 著者・編者: 西山彰 [著]
• 著者標目: 西山, 彰 ニシヤマ, アキラ
• 並列タイトル等: 高速Si VLSIヘのイオンビーム応用に関する研究 : 構造解析と相変換 コウソク Si VLSI エ ノ イオン ビーム オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ : コウゾウ カイセキ ト ソウ ヘンカン
• 授与機関名: 早稲田大学
• 授与年月日: 平成10年3月5日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1998
• 報告番号: 乙第1364号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-J455
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000321974; http://id.ndl.go.jp/bib/000000321974
• 整理区分コード: 213

目次

CONTENTS

1.Introduction

1.1 Development of Si VLSI Technology

1.2 Parasitic Phenomena in the MOS Device Performance

1.3 Ion Beam Applications for VLSI Technology