Ion beam applications to high-speed Si VLSI's : structure analysis and phase transformation

• Material Type: 博士論文
• Title: Ion beam applications to high-speed Si VLSI's : structure analysis and phase transformation
• Author/Editor: 西山彰 [著]
• Author Heading: 西山, 彰 ニシヤマ, アキラ
• Alternative Title: 高速Si VLSIヘのイオンビーム応用に関する研究 : 構造解析と相変換 コウソク Si VLSI エ ノ イオン ビーム オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ : コウゾウ カイセキ ト ソウ ヘンカン
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成10年3月5日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第1364号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-J455
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000321974; http://id.ndl.go.jp/bib/000000321974
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

1.Introduction

1.1 Development of Si VLSI Technology

1.2 Parasitic Phenomena in the MOS Device Performance

1.3 Ion Beam Applications for VLSI Technology