A luminescence study on stress-driven growth mode transition and formation of quantum nanostructures in indirect-gap strained Si/Ge

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: A luminescence study on stress-driven growth mode transition and formation of quantum nanostructures in indirect-gap strained Si/Ge
• 著者・編者: 砂村潤 [著]
• 著者標目: 砂村, 潤 スナムラ, ヒロシ
• 並列タイトル等: 間接遷移型半導体Si/Ge系における歪誘起成長様式遷移と量子ナノ構造形成のルミネセンス法による研究 カンセツ センイガタ ハンドウタイ Si/Geケイ ニ オケル ヒズミ ユウキ セイチョウ ヨウシキ センイ ト リョウシ ナノ コウゾウ ケイセイ ノ ルミネセンスホウ ニ ヨル ケンキュウ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成9年3月28日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1997
• 報告番号: 甲第12595号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-Q467
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000325287; http://id.ndl.go.jp/bib/000000325287
• 整理区分コード: 213

目次

Table of contents

Acknowledgments

Abstract

Chapter I Introduction:background and objectives

Chapter II Experimental