A luminescence study on stress-driven growth mode transition and formation of quantum nanostructures in indirect-gap strained Si/Ge

• Material Type: 博士論文
• Title: A luminescence study on stress-driven growth mode transition and formation of quantum nanostructures in indirect-gap strained Si/Ge
• Author/Editor: 砂村潤 [著]
• Author Heading: 砂村, 潤 スナムラ, ヒロシ
• Alternative Title: 間接遷移型半導体Si/Ge系における歪誘起成長様式遷移と量子ナノ構造形成のルミネセンス法による研究 カンセツ センイガタ ハンドウタイ Si/Geケイ ニ オケル ヒズミ ユウキ セイチョウ ヨウシキ センイ ト リョウシ ナノ コウゾウ ケイセイ ノ ルミネセンスホウ ニ ヨル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成9年3月28日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 甲第12595号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-Q467
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000325287; http://id.ndl.go.jp/bib/000000325287
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Table of contents

Acknowledgments

Abstract

Chapter I Introduction:background and objectives

Chapter II Experimental