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Chemical vapor deposition of SiO[2] and (Ba,Sr)TiO[3] films and their application to electronic devices

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Chemical vapor deposition of SiO[2] and (Ba,Sr)TiO[3] films and their application to electronic devices

国立国会図書館請求記号
UT51-98-R476
国立国会図書館書誌ID
000000326087
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3140895
資料種別
博士論文
著者
川原孝昭 [著]
出版者
-
出版年
-
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京大学,博士 (工学)
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目次

  • 要旨

    p5

  • CONTENTS

  • 1.Introduction

    p1

  • 1.1 Chemical vapor deposition of SiO₂ films

    p5

  • 1.2 Chemical vapor deposition of(Ba,Sr)TiO₃ films

    p11

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
川原孝昭 [著]
著者標目
川原, 孝昭 カワハラ, タカアキ
並列タイトル等
CVD法によるSiO[2]及び (Ba,Sr)TiO[3]薄膜の形成と電子デバイスへの応用 CVDホウ ニ ヨル SiO2 オヨビ (Ba,Sr)TiO3 ハクマク ノ ケイセイ ト デンシ デバイス エ ノ オウヨウ
授与機関名
東京大学
授与年月日
平成9年3月17日
授与年月日(W3CDTF)
1997
報告番号
乙第13294号
学位
博士 (工学)