反応性イオンビームを用いた半導体光素子の作製

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 反応性イオンビームを用いた半導体光素子の作製
• タイトルよみ: ハンノウセイ イオン ビーム オ モチイタ ハンドウタイ ヒカリ ソシ ノ サクセイ
• 著者・編者: 吉川隆士 [著]
• 著者標目: 吉川, 隆士 ヨシカワ, タカシ
• 授与機関名: 慶応義塾大学
• 授与年月日: 平成11年2月5日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1999
• 報告番号: 乙第3237号
• 学位: 博士(工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-99-J186
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000335807; http://id.ndl.go.jp/bib/000000335807
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

[目次]

第1章 序論

1-1 本研究の背景

1-2 本論文の構成