Studies on oxide/semiconductor interfaces for metal-oxide-semiconductor (MOS) structure by means of photoelectron spectroscopy

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Studies on oxide/semiconductor interfaces for metal-oxide-semiconductor (MOS) structure by means of photoelectron spectroscopy
• 著者・編者: 久保田智広 [著]
• 著者標目: 久保田, 智広 クボタ, トモヒロ
• 並列タイトル等: 光電子分光法を用いた金属-酸化物-半導体(MOS)構造の酸化物/半導体界面の研究 コウデンシ ブンコウホウ オ モチイタ キンゾク - サンカブツ - ハンドウタイ (MOS) コウゾウ ノ サンカブツ
• 授与機関名: 大阪大学
• 授与年月日: 平成11年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1999
• 報告番号: 甲第7012号
• 学位: 博士 (理学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-99-R442
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000340685; http://id.ndl.go.jp/bib/000000340685
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

Chapter1 General Introduction

Chapter2 New method for determination of energy distribution of interface states in the semi-conductor band-gap:”XPS measurements under bias”

Chapter3 Energy distribution of interface states in the GaAs band-gap and a decrease in the interface state density

Chapter4 First principle theoretical calculation of interface states at Si/silicon oxide interfaces