Studies on oxide/semiconductor interfaces for metal-oxide-semiconductor (MOS) structure by means of photoelectron spectroscopy

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on oxide/semiconductor interfaces for metal-oxide-semiconductor (MOS) structure by means of photoelectron spectroscopy
• Author/Editor: 久保田智広 [著]
• Author Heading: 久保田, 智広 クボタ, トモヒロ
• Alternative Title: 光電子分光法を用いた金属-酸化物-半導体(MOS)構造の酸化物/半導体界面の研究 コウデンシ ブンコウホウ オ モチイタ キンゾク - サンカブツ - ハンドウタイ (MOS) コウゾウ ノ サンカブツ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成11年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第7012号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-R442
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000340685; http://id.ndl.go.jp/bib/000000340685
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter1 General Introduction

Chapter2 New method for determination of energy distribution of interface states in the semi-conductor band-gap:”XPS measurements under bias”

Chapter3 Energy distribution of interface states in the GaAs band-gap and a decrease in the interface state density

Chapter4 First principle theoretical calculation of interface states at Si/silicon oxide interfaces